Power Amplifier V2-2400 MkIII

Analog power amplifiers for wide range of applications

  • TOSHIBA bipolar output transistors
  • H class power amplifier
  • Toroidal transformer
  • Forced cooling system with smooth fan speed adjustment
  • 2U height
  • Input level controls
  • Signal indicators (LEDs)
  • Overload and alarm indicators (LEDs)
  • MODE switch (STEREO-MONO-BRIDGE)
  • High pass input filter switch (45Hz)
  • Built-in crossover
  • Switchable line output (THRU or after crossower)
  • Sensitivity switch (optional)
  • Removable power cord
  • Removable dust filters
  • Ground lift
  • Input connectors — XLR
  • Output connectors -SPEAKON
  • Double-stage overload protection
  • Short-circuit protection
  • Double-stage thermal protection
  • Opto-electronic clip-limiter
  • DC output protection
  • High frequency protection
  • Soft signal start
МОДЕЛЬV2-2400 MkIII
Выходная мощность, 2Ω2 х 1200 Вт
Выходная мощность, 4Ω2 х 700 Вт
Выходная мощность, 8Ω2 х 380 Вт
Выходная мощность, 4Ω, МОСТ2000 Вт
Выходная мощность, 8Ω, МОСТ1400 Вт
Выходная мощность, 16Ω, МОСТ760 Вт
Эффективный диапазон частот ( 0, -0.2dB )20Гц - 20 кГц
Общие гармонич. искажения, 1kHz0.003 %
Общие гармонич. искажения, 20Hz...20kHz0.02 %
Демпинг-фактор (8Ω, 1kHz)400
Скорость нарастания вых. напряжения40 В/мкс
Отношение сигнал / шум100 дБ
Переходное затухание между каналами (1kHz)60 дБ
Чувствительность, 0.775 В
Входное сопротивление (симметричное)10 кОм
Напряжение питания (50Hz...60Hz)~220 В
Высота2U
Глубина (в рэке)375 мм
Габаритные размеры (ШхВхГ)482 х 96 х 414 мм
Вес20 кг

Amplifiers from V-series:

V4-900 MkIII

Power Amplifier V4-900 MkIII

2 х 450W @ 4Ω Built-in crossover

read more

V4-1200 MkIII

Power Amplifier V4-1200 MkIII

2 х 600W @ 4Ω
Built-in crossover

read more

V4-1800 MkIII

Power Amplifier V4-1800 MkIII

2 х 900W @ 4Ω
Built-in crossover

read more

V4-2400 MkIII

Power Amplifier V4-2400 MkIII

2 х 1200W @ 4Ω
Built-in crossover

read more

V2-2400 MkIII

Power Amplifier V2-2400 MkIII

2 х 450W @ 4Ω Built-in crossover

read more